ЗМІНА ЕЛЕКТРОХІМІЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ GaSe ЗА РАХУНОК МОДИФІКАЦІЇ ПОВЕРХНІ

  • Н. М. Квашнівська Львівський національний університет ім. Івана Франка
Ключові слова: селенід галію, наноструктури, поверхнева рекомбінація, фотосинтез

Анотація

У повітрі чи в іншому середовищі на поверхні напівпровідника з’являється окисний шар, що призводить до зниження швидкості проходження процесів, які можуть відбуватися на поверхневих шарах при окисно-відновлювальних реакціях. У кристалі можна використати розчинник хімічних реакцій, що впливає на зміни у процесі реакції, а саме утворення та розрив хімічних зв’язків між атомами поверхневих шарів, що утворюють пасивацію, при цьому не змінюючи структури кристалу, тим самим пришвидшити процес передачі електронів при окисно-відновлюваних реакціях.

Посилання

1. Боледзюк В. Б., Заслонкiн А. В., Ковалюк З. Д., Пирля М. М., Юрценюк С. П. Вплив відпалу на оптичнi властивостi шаруватих кристалiв GaSe та InSe. Physics and chemistry of solid state. 2008. Т. 9, № 2. С. 338–347.
2. Ковалюк З. Д., Боледзюк В. Б., Шевчик В. В., Дубик О. М., Камiнський В. М. Електричнi властивостi моно селенiду iндiю, легованого селенiдом ванадію. ФIП. 2012. Т. 10, № 4. С. 448–452.
3. Ковалюк З. Д., Шевчик В. В., Боледзюк В. Б., Нетяга В. В. Дослiдження електричних властивостей InSe iнтеркальованого кобальтом. Журнал нано- та електронної фізики. 2014. Т. 6, № 4. С. 368–372.
4. Боледзюк В. Б., Ковалюк З. Д., Кудринський З. Р., Кушнiр Б. В., Литвин О. С., Шевченко А. Д. Вплив iнтеркалювання нiкелем на властивості на властивостi шаруватих кристалiв InSe. ФIП. 2014. Т. 12, № 2. С. 184–189.
5. Стахира Й. М., Товсюк Н. К., Фоменко В. Л., Цмоць В. М., Щупляк А. Н. Структура и магнитные свойства монокристалов InSe, интеркалированных никелем. Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45, вып. 10. С. 44–47.
6. Balitskii1 O., Porowski S., Eliasz Jacek, Gryshchenko S., Kvashnivska N., Polishchuk N. Electrochemical Investigation of Hydrogen Influence of Crystals of Gallium Nitride. URL: http://myprogram14.ise-online.org/symp/S06.html.
7. Balitskii1 O., Eliasz Jacek, Gryshchenko S., Kvashnivska N., Polishchuk N. Hydrogen Influence on Electrochemical Properties of Gallium Monoselenide. Solid State Phenomena. 2015. Vol. 225. P. 53–58.
8. Балицький О. О., Яцек Елiаш, Грищенко С., Квашнiвська Н., Полiщук Н. Виростання шаруватих кристалiв у водневiй енергетиці. Нетрадицiйнi і поновлювальнi джерела енергiї як альтернативнi первинним джерелам енергiї в регiонi. Праці VIII між нар. наук.-практ. конф. (Львів, 10 березня 2015). Львів, 2015. С. 152–154.
9. Ковалюк З. Д., Пирля М. М., Боледзюк В. Б., Шевчик В. В. Барична та тензочутливiсть шаруватих напiвпровiдникiв InSe та GaSe. Укр. фiз. журн. 2011. Т. 56, № 4. С. 368–372.
10. Квашнiвська Н. Електрохiмiчнi властивостi селенiду галію. VI Всеукраїнська науково-практична конференцiя «Перший крок у науку». Т. 5. Луганськ, 2011. С. 37.
Опубліковано
2017-10-12
Як цитувати
Квашнівська, Н. М. (2017). ЗМІНА ЕЛЕКТРОХІМІЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ GaSe ЗА РАХУНОК МОДИФІКАЦІЇ ПОВЕРХНІ. Computer Science and Applied Mathematics, (1), 175-178. вилучено із http://journalsofznu.zp.ua/index.php/comp-science/article/view/1272